Antares Defence Systems
fertigt in England Hochfrequenzverstärker hoher Leistung für Jamming Anwendungen (Counter IED, bomb jamming). Dabei werden modernste Halbleitertechnologien
wie GaAs (Galliumarsenid) und GaN (Galliumnitrid) eingesetzt. Sie zeichnen sich durch hohe Robustheit, Breitbandigkeit, hohen Wirkungsgrad und sehr kurze
Ein- und Ausschaltzeiten aus.
Unten stehende Tabelle zeigt einige der Standardprodukte. Kundenspezifische Varianten sowie Verstärker oder Palletts nach Kundenzeichnungen für Frequenzen bis X-Band können sehr schnell entwickelt werden. Alle Produkte sind ITAR-frei.
Ein Klick auf die Produktbezeichnung lädt das Datenblatt-pdf.
| Produkt | Frequenzbereich | Leistung (Psat, typ.) |
Vorteile | Technologie | Größe (mm) |
| VMZ1J | 20MHz-520MHz | 120W | hohe Ausgangsleistung und Wirkungsgrad | GaN/gemischt | 188 x 91,5 |
| VM1K | 20MHz-700MHz | 130W | hohe Ausgangsleistung und Wirkungsgrad | GaN/gemischt | 187 x 91,5 |
| VM2F | 500MHz-2,5GHz | 70W | hohe Ausgangsleistung und Wirkungsgrad | GaN/GaAs | 187 x 91,5 |
| MP1BN | 20MHz-600MHz | 25W | hoher Wirkungsgrad | GaN | 120 x 55 |
| MP12C | 20MHz-2,5GHz | 30W | hohe Bandbreite | GaN/gemischt | 120 x 65 |
| MP2B | 500MHz-3GHz | 25W | kompakt, leicht (für Manpack), hoher Wirkungsgrad | GaN/gemischt | 100 x 55 |
| MP2C | 500MHz-2,7GHz | 35W | kompakt, leicht (für Manpack), hoher Wirkungsgrad | GaN/gemischt | 120 x 65 |
| MP3C | 2,5GHz- 6GHz | 30W | kompakt, leicht (für Manpack), hoher Wirkungsgrad | GaN | 120 x 55 |
| VM3E | 2,5GHz- 6GHz | 50W | kompakt, leicht (für Manpack), hoher Wirkungsgrad | GaN | 140 x 80 |
