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Antares Defence Systems fertigt in England Hochfrequenzverstärker hoher Leistung für Jamming Anwendungen (Counter IED, bomb jamming). Dabei werden modernste Halbleitertechnologien wie GaAs (Galliumarsenid) und GaN (Galliumnitrid) eingesetzt. Sie zeichnen sich durch hohe Robustheit, Breitbandigkeit, hohen Wirkungsgrad und sehr kurze Ein- und Ausschaltzeiten aus.

Unten stehende Tabelle zeigt einige der Standardprodukte. Kundenspezifische Varianten sowie Verstärker oder Palletts nach Kundenzeichnungen für Frequenzen bis X-Band können sehr schnell entwickelt werden. Alle Produkte sind ITAR-frei.

Ein Klick auf die Produktbezeichnung lädt das Datenblatt-pdf.

Produkt Frequenzbereich Leistung
(Psat, typ.)
Vorteile Technologie Größe (mm)
VMZ1J 20MHz-520MHz 120W hohe Ausgangsleistung und Wirkungsgrad GaN/gemischt 188 x 91,5
VM1K 20MHz-700MHz 130W hohe Ausgangsleistung und Wirkungsgrad GaN/gemischt 187 x 91,5
VM2F 500MHz-2,5GHz 70W hohe Ausgangsleistung und Wirkungsgrad GaN/GaAs 187 x 91,5
MP1BN 20MHz-600MHz 25W hoher Wirkungsgrad GaN 120 x 55
MP12C 20MHz-2,5GHz 30W hohe Bandbreite GaN/gemischt 120 x 65
MP2B 500MHz-3GHz 25W kompakt, leicht (für Manpack), hoher Wirkungsgrad GaN/gemischt 100 x 55
MP2C 500MHz-2,7GHz 35W kompakt, leicht (für Manpack), hoher Wirkungsgrad GaN/gemischt 120 x 65
MP3C 2,5GHz- 6GHz 30W kompakt, leicht (für Manpack), hoher Wirkungsgrad GaN 120 x 55
VM3E 2,5GHz- 6GHz 50W kompakt, leicht (für Manpack), hoher Wirkungsgrad GaN 140 x 80

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